Overview
Beim integrierten Schaltkreisdesign spielt die Schaltkreissimulation eine wesentliche Rolle, wobei deren Genauigkeit von der Genauigkeit des verwendeten Transistormodells abhängig ist. BSIM3 (BSIM steht für Berkley Short-channel IGFET Model) wurde als erstes MOSFET Modell zur Standardisierung ausgewählt. Es wird erwartet, da in den kommenden Jahren viele Halbleiterunternehmen zu BSIM3 wechseln. Dieses Buch erläutert die technischen Einzelheiten von BSIM 3, warum sich die meisten Unternehmen für dieses Modell entscheiden und wo es eingesetzt werden kann. Eines der fünf Kapitel widmet sich BSIM4, dem Nachfolgemodell von BSIM3.
- | Author: William Liu
- | Publisher: Wiley-IEEE Press
- | Publication Date: Feb 21, 2001
- | Number of Pages: 600 pages
- | Binding: Hardback or Cased Book
- | ISBN-10: 0471396974
- | ISBN-13: 9780471396970
