null Skip to main content

✨ Buy more, save 5% Ends

Herstellung und Charakterisierung von Photodioden auf der Basis von BeMgZnSe

Herstellung und Charakterisierung von Photodioden auf der Basis von BeMgZnSe

$66.50
$60.77
(No reviews yet) Write a Review
Physical book delivery

Shipping calculated at checkout.

Estimated delivery
Adding to cart… The item has been added
Product Details
Author:
Johannes M. Sieß
Publisher:
Examicus Verlag
Publication Date:
Aug 07, 2012
Number of pages:
86 pages
Binding:
Paperback or Softback
ISBN-10:
3867463085
ISBN-13:
9783867463089

Overview

Diplomarbeit aus dem Jahr 1999 im Fachbereich Physik - Angewandte Physik, Note: 2, Bayerische Julius-Maximilians-Universität Würzburg, Sprache: Deutsch, Abstract: Es ist wichtig, die UV-Bestrahlung des menschlichen Körpers zu kontrollieren und nötigenfalls zu beschränken. Kleine handliche Detektoren, die nur in diesem Spektralbereich empfindlich sind, würden dem Einzelnen eine Möglichkeit geben, jederzeit über die momentane UV-Strahlenbelastung informiert zu sein. Weitere Anwendungen für UV-Detektoren sind denkbar zur Umweltanalyse oder auch in unwirtlichen Umgebungen, wie zur Überwachung von Verbrennungsprozessen, bei denen immer UV-Emission auftritt, die aus der Emission von Verbrennungsprodukten (z.B. Stickstoff) stammt. Diese sind abhängig von der Temperatur. Durch die selektive Überwachung der UV-Emission lie e sich eine Verbrennung schadstoffarm regeln. UV-Halbleiterdetektoren bieten die Möglichkeit, die Grö e optischer Bauteile zu verringern. Bisher wurden zur Detektion von UV-Strahlung Siliziumdetektoren mit vorgeschalteten Filtern verwendet, ein hoher Dunkelstrom und die Schwächung der Strahlung durch die Filter machen diese Detektoren aber sehr uneffektiv und oft ist eine Kühlung des Halbleiters notwendig. Andere Detektoren sind Photomultiplier, aber auch diese benötigen Filter und immer Kühlung. Als vielversprechendes Material wird auch Galliumnitrid genannt, dessen Cut-off jedoch bei 365 nm liegt, wodurch man einen Teil des UV-A-Spektrums nicht detektieren kann. Mittels Molekularstrahlepitaxie ist es in Würzburg gelungen, lichtemittierende Halbleiterbauelemente aus Beryllium-Chalkogeniden herzustellen [23] mit Bandlücken, die an der Grenze zwischen sichtbarem und ultraviolettem Licht liegen. In dieser Arbeit wird daher versucht, aus diesem Material p-i-n Photodetektoren herzustellen. Dazu wird im 1. und 2. Kapitel die dazu nötige Theorie beschrieben sowie die praktischen Grundlagen vermittelt. Im 3. Kapitel werden dann alle Ergebnisse dieser Arbeit zusam


  • | Author: Johannes M. Sieß
  • | Publisher: Examicus Verlag
  • | Publication Date: Aug 07, 2012
  • | Number of Pages: 86 pages
  • | Binding: Paperback or Softback
  • | ISBN-10: 3867463085
  • | ISBN-13: 9783867463089

Reviews

0 Reviews

Write a Review

No reviews yet.

Share your experience and help another reader choose their next book.

Discover your next great book

Get new releases, reader favourites, and special offers delivered to your inbox.