Overview

Rozważono zjawisko rozpylania bocznych powierzchni krysztalów PbTe wyhodowanych ze stopu metodą Bridgmana za pomocą plazmy argonowej w warunkach wtórnej neutralnej spektrometrii masowej. Przedstawiono nowe zjawiska - aperiodyczne oscylacje szybkości rozpylania Pb i Te, ogromną przewagę rozpylania Te osiągającą ponad dwa rzędy wielkości na początku procesu rozpylania oraz znaczny nadmiar zintegrowanej wydajności rozpylania Te w stosunku do Pb w przypadku dlugotrwalego rozpylania plazmą o niskiej energii (50-160 eV). Wykazano korelacje między cechami rozpylania powierzchni krysztalów PbTe a procesami ponownego osadzania się rozpylanych cząstek na powierzchni rozpylającej. Stwierdzono, że tworzenie się i ponowne rozpylanie subkrytycznych jąder nowej fazy prowadzi do oscylacji wydajności rozpylania Pb i Te. Tworzenie się ponownie napylanych struktur powierzchniowych o rozmiarach przekraczających rozmiary krytyczne prowadzi do zmian średnich wielkości wydajności napylania Pb i Te. Osobliwości stanów naladowania międzycząsteczkowego Pb i Te w matrycy krysztalu PbTe powodują ogromne preferencyjne napylanie Te przez wiązki jonów Ar+ o niskiej energii.