Overview

Os Princípios e Usos da Nanofotónica: QWs, QWWs e QDs de materiais nanoestruturados optoelectrónicos não lineares e as suas consequências fotoeléctricas exteriores: Utilizando uma lei de dispersão de electrões recentemente desenvolvida que tem em conta as anisotropias das constantes de spin-orbitação, electrões de massa efectiva e controlo da divisão do campo cristalino no âmbito do formalismo k.p, o efeito fotoelétrico externo de poços quânticos, fios de poços quânticos e pontos quânticos de materiais nanoestruturados ópticos e optoelectrónicos não lineares. Além disso, o efeito fotoelétrico externo foi calculado para materiais II-VI e materiais optoelectrónicos confinados quânticos (tais como QWs, QWWs e QWs).Através da rede quântica confinada Hg1-xCdxTe, CdGaAs2 e In1-xGaxAsyP1-y emparelhada com CdS, InP e InSb stressado como exemplos, descobriu-se que o efeito fotoelétrico externo apresenta planaltos em função da energia do fotão incidente, o que é crucial de uma perspetiva experimental. A nossa abordagem generalizada é especializada para as descobertas numéricas de semicondutores degenerados III-V optoelectrónicos quânticos restritos.