Overview

Celem projektowania SiNWFET z wykorzystaniem podwójnego spaceru k jest zmniejszenie SCE i zwiększenie stosunku prądu wlączenia do prądu wylączenia. Proponowane urządzenie skutecznie lączy różne mechanizmy obniżania subthreshold swing (SS). Dzięki zastosowaniu spacerów i zlącza Schottky'ego uzyskujemy bardziej wydajny system, który poprawia parametry konstrukcyjne urządzenia, takie jak gęstośc elektryczna, potencjal i rezystancja. Wyniki naszych symulacji pokazują, że chociaż przekladka o wysokim wspólczynniku κ poprawia wydajnośc urządzenia, taką jak ION, S/S, to wydajnośc urządzenia ulegla poprawie i zmniejszyly się straty. W istniejącym SiNWFET zmniejszenie grubości tlenku bramki nie jest dobrym pomyslem, ponieważ powoduje to zmniejszenie stosunku prądu wlączenia do prądu wylączenia, chociaż S/S pozostaje w większości niezmienione. W normalnym FET bez przekladki ma on wysoki prąd wylączenia i zwiększony efekt krótkiego kanalu. W istniejącym urządzeniu prąd wylączenia jest większy, a wydajnośc również zmniejszona. Przegląd, synteza i przeprowadzenie analizy literatury są rzeczywistymi miernikami standardowej lub podyplomowej próby przeglądu literatury. Dobrze zorganizowany i sformulowany przegląd najlepiej pokaże wklad i ramy dobrej metodologii.